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N25Q00AA11G1240E

N25Q00AA11G1240E

Nur als Referenz

Teilenummer N25Q00AA11G1240E
PNEDA Teilenummer N25Q00AA11G1240E
Beschreibung IC FLASH 1G SPI 108MHZ 24LPBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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N25Q00AA11G1240E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerN25Q00AA11G1240E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
N25Q00AA11G1240E, N25Q00AA11G1240E Datenblatt (Total Pages: 90, Größe: 1.253,56 KB)
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N25Q00AA11G1240E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße1Gb (256M x 4)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz108MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8ms, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-LBGA
Lieferantengerätepaket24-LPBGA (6x8)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ns

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

4.5µs

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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