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MWI75-06A7

MWI75-06A7

Nur als Referenz

Teilenummer MWI75-06A7
PNEDA Teilenummer MWI75-06A7
Beschreibung MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MWI75-06A7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMWI75-06A7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MWI75-06A7, MWI75-06A7 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 105,07 KB)
PDFMWI75-06A7T Datenblatt Cover
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MWI75-06A7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Leistung - max280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1.3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE2
LieferantengerätepaketE2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT300A120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

440A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

8mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

FZ2400R17HE4B9HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2400A

Leistung - max

15500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 2400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

195nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS100R17N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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