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MURS160-M3/5BT

MURS160-M3/5BT

Nur als Referenz

Teilenummer MURS160-M3/5BT
PNEDA Teilenummer MURS160-M3-5BT
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.456
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MURS160-M3/5BT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMURS160-M3/5BT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MURS160-M3/5BT, MURS160-M3/5BT Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 82,71 KB)
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MURS160-M3/5BT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/228

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CD1005-B0130

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Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

440mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

1005 (2512 Metric)

Lieferantengerätepaket

1005

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

SGL41-40/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF

Lieferantengerätepaket

GL41 (DO-213AB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

1F3G-TP

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 40V

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

R-1, Axial

Lieferantengerätepaket

R-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAT43WS-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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