MURHB860CTT4G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MURHB860CTT4G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MURHB860CTT4G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 9 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MURHB860CTT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MURHB860CTT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MURHB860CTT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | MEGAHERTZ™ |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 4A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-3 |
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