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MURD550PFT4G

MURD550PFT4G

Nur als Referenz

Teilenummer MURD550PFT4G
PNEDA Teilenummer MURD550PFT4G
Beschreibung DIODE GEN PURP 520V 5A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MURD550PFT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMURD550PFT4G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MURD550PFT4G, MURD550PFT4G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 153,94 KB)
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MURD550PFT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)520V
Current - Average Rectified (Io)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 520V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1700V

Current - Average Rectified (Io)

70A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 25A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 1700V

Kapazität @ Vr, F.

1950pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

TST10H200CW C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

910mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SS2PH6HM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

93pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RSFGLHRUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

IDL06G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

110µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

190pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-PowerTSFN

Lieferantengerätepaket

PG-VSON-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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