MUR160S M4G
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Teilenummer | MUR160S M4G |
PNEDA Teilenummer | MUR160S-M4G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.412 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MUR160S M4G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MUR160S M4G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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MUR160S M4G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 150µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 750ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 400mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 200pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0603 (1608 Metric) Lieferantengerätepaket CST2C Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 15V Current - Average Rectified (Io) 25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 520mV @ 25A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.2mA @ 15V Kapazität @ Vr, F. 2000pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 2-ThinKey™ Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 17A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 612pF @ 1V, 100kHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |