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MTM231230L

MTM231230L

Nur als Referenz

Teilenummer MTM231230L
PNEDA Teilenummer MTM231230L
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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MTM231230L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMTM231230L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
MTM231230L, MTM231230L Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 513,91 KB)
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MTM231230L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSMini3-G1
Paket / FallSC-70, SOT-323

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A (Ta), 16.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

TK35E10K3(S1SS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IRFD9014PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

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HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Vgs (Max)

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