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MT61M256M32JE-12 AAT:A TR

MT61M256M32JE-12 AAT:A TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT61M256M32JE-12 AAT:A TR
PNEDA Teilenummer MT61M256M32JE-12-AAT-A-TR
Beschreibung IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT61M256M32JE-12 AAT:A TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT61M256M32JE-12 AAT:A TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT61M256M32JE-12 AAT:A TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatRAM
TechnologieSGRAM - GDDR6
Speichergröße8Gb (256M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz1.5GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.21V ~ 1.29V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall180-TFBGA
Lieferantengerätepaket180-FBGA (12x14)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

AL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

MT47H64M16NF-25E IT:M

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

Lieferantengerätepaket

84-FBGA (8x12.5)

AT27C010-15PI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PDIP

70T3589S200BC

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

IDT71T75602S100PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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