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MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR

MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR
PNEDA Teilenummer MT48LC32M16A2TG-75-IT-C-TR
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR, MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR Datenblatt (Total Pages: 77, Größe: 1.014,34 KB)
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MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speicherformat

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Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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Speichertyp

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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