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MT45W2MW16BGB-708 AT

MT45W2MW16BGB-708 AT

Nur als Referenz

Teilenummer MT45W2MW16BGB-708 AT
PNEDA Teilenummer MT45W2MW16BGB-708-AT
Beschreibung IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT45W2MW16BGB-708 AT Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT45W2MW16BGB-708 AT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT45W2MW16BGB-708 AT, MT45W2MW16BGB-708 AT Datenblatt (Total Pages: 61, Größe: 1.932,33 KB)
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MT45W2MW16BGB-708 AT Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße32Mb (2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-VFBGA
Lieferantengerätepaket54-VFBGA (6x8)

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x10)

AT27C516-70JC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT61K256M32JE-14:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR6

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.75GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.39V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Sub-Base Mount

Paket / Fall

180-TFBGA

Lieferantengerätepaket

180-FBGA (12x14)

S29GL01GS11FAIV13

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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