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MT45V256KW16PEGA-55 WT TR

MT45V256KW16PEGA-55 WT TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT45V256KW16PEGA-55 WT TR
PNEDA Teilenummer MT45V256KW16PEGA-55-WT-TR
Beschreibung IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT45V256KW16PEGA-55 WT TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT45V256KW16PEGA-55 WT TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT45V256KW16PEGA-55 WT TR, MT45V256KW16PEGA-55 WT TR Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 910,41 KB)
PDFMT45V256KW16PEGA-70 WT TR Datenblatt Cover
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MT45V256KW16PEGA-55 WT TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-VFBGA
Lieferantengerätepaket48-VFBGA (6x8)

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MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT49F001-70JC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

CY62168EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

48-VFBGA (6x8)

7164L45TDB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-CDIP

IDT71V432S10PFG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

1Mb (32K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.63V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

Kürzlich verkauft

7M-12.000MAAE-T

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TXC

CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

FDV302P

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ON Semiconductor

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MCP1725T-3302E/MC

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Microchip Technology

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FMR0H104ZF

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KEMET

CAPACITOR 0.1F 5.5V RADIAL

VRF150MP

VRF150MP

Microsemi

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LTM8027IV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 2.5-24V 4A

ISL62882CHRTZ

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Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 40TQFN

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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

RB521S-30TE61

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Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

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ADA4805-2ARMZ-R7

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