MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR
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| Teilenummer | MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR |
| PNEDA Teilenummer | MT42L256M64D4LD-18-WT-A-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.672 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.3V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 220-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 220-FBGA (14x14) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
Hersteller Adesto Technologies Serie Mavriq™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat CBRAM® Technologie CBRAM Speichergröße 64kb (32B Page Size) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 750kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 7ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-VFBGA Lieferantengerätepaket 54-VFBGA (8x8) |
