MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR
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| Teilenummer | MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR |
| PNEDA Teilenummer | MT41K512M16VRN-107-AIT-P-TR |
| Beschreibung | IC SDRAM DDR3 8GB FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 25 - Mär 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 8Gb (512M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 96-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 96-FBGA (8x14) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
