MT41K128M16JT-107 AAT:K TR
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| Teilenummer | MT41K128M16JT-107 AAT:K TR |
| PNEDA Teilenummer | MT41K128M16JT-107-AAT-K-TR |
| Beschreibung | IC SDRAM DDR3L 2GB 96FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 25 - Mär 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT41K128M16JT-107 AAT:K TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT41K128M16JT-107 AAT:K TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT41K128M16JT-107 AAT:K TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 96-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 96-FBGA (8x14) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOJ |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.6ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 208-LFBGA Lieferantengerätepaket 208-CABGA (15x15) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 75ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 56-TSOP |
