MT29F8G08ABACAM71M3WC1
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| Teilenummer | MT29F8G08ABACAM71M3WC1 |
| PNEDA Teilenummer | MT29F8G08ABACAM71M3WC1 |
| Beschreibung | IC FLASH 8G PARALLEL DIE |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.078 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F8G08ABACAM71M3WC1 Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F8G08ABACAM71M3WC1 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F8G08ABACAM71M3WC1 Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOJ |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 32Kb (2K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 68-BPGA Lieferantengerätepaket 68-PGA (29.46x29.46) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-TFBGA Lieferantengerätepaket 134-TFBGA (10x11.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3L Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 13.5ns Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (8x14) |
