MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F512G08CEHBBJ4-3R-B-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.912 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Datasheet
- where to find MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR PDF Datasheet
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Stock
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Pinout
- Datasheet MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Price
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Distributor
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.5V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 132-VBGA (12x18) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Adesto Technologies Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12µs, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-VFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x9) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (8x14) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 18ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads Lieferantengerätepaket 40-TSOP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie VS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-VFBGA Lieferantengerätepaket 44-FBGA (7.5x5) |
