MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
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| Teilenummer | MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F32G08AECCBH1-10ITZ-C-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 32G PARALLEL 100VBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.772 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 32Gb (4G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 100-VBGA (12x18) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-VFBGA Lieferantengerätepaket 48-VFBGA (6x8) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
