MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ-C | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC FLASH 16G PARALLEL 100VBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 193 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 16Gb (2G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-VBGA |
| Lieferantengerätepaket | 100-VBGA (12x18) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TFBGA (6.4x10.1) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ms, 2.8ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-TBGA Lieferantengerätepaket 24-T-PBGA (6x8) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-CABGA (17x17) |
