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MSFC110-12

MSFC110-12

Nur als Referenz

Teilenummer MSFC110-12
PNEDA Teilenummer MSFC110-12
Beschreibung MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.148
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MSFC110-12 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSFC110-12
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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MSFC110-12 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)110A
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)2250A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)250mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

2.9kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

6110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

6820A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

100000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

T720144504DN

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

450A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

700A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7650A, 8400A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AC, B-PUK

B612F-2

Sensata-Crydom

Hersteller

Sensata-Crydom

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

80mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

600A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module with Isolation Barriers

T2001N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

3.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2890A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3200A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

44000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

320A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

500A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

9200A, 9800A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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