MSDT100-16
Nur als Referenz
| Teilenummer | MSDT100-16 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MSDT100-16 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.805 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MSDT100-16 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSDT100-16 |
| Kategorie | Halbleiter › Thyristoren › Thyristoren - SCRs - Module |
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MSDT100-16 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Struktur | Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR, 6 Diodes |
| Spannung - Aus Zustand | 1.6kV |
| Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 100A |
| Current - On State (It (RMS)) (max.) | - |
| Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 1200A @ 50Hz |
| Current - Hold (Ih) (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M4 Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Struktur - Anzahl der SCRs, Dioden - Spannung - Aus Zustand - Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) - Current - On State (It (RMS)) (max.) - Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) - Current - Gate Trigger (Igt) (Max) - Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) - Current - Hold (Ih) (Max) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - |
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