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MSC025SMA120S

MSC025SMA120S

Nur als Referenz

Teilenummer MSC025SMA120S
PNEDA Teilenummer MSC025SMA120S
Beschreibung GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM D3P
Hersteller Microsemi
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MSC025SMA120S Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSC025SMA120S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
MSC025SMA120S, MSC025SMA120S Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 3.798,21 KB)
PDFMSC025SMA120J Datenblatt Cover
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MSC025SMA120S Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2kV
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD3Pak
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 15V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

DMG2301L-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

476pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOWATT-218FX

Paket / Fall

ISOWATT218FX

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.04Ohm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

121nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 25V

FET-Funktion

Current Sensing

Verlustleistung (max.)

272W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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