MS109E3/TR12
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| Teilenummer | MS109E3/TR12 |
| PNEDA Teilenummer | MS109E3-TR12 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO204AL |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 14 - Apr 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MS109E3/TR12 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS109E3/TR12 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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MS109E3/TR12 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 90V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 525mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 15A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 6.8V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3200V Current - Average Rectified (Io) 2000A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 3000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 200mA @ 3200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AD Lieferantengerätepaket Pow-R-Disc Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 31ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 4A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 4A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 200pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220ACP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
