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MRFG35003N6T1

MRFG35003N6T1

Nur als Referenz

Teilenummer MRFG35003N6T1
PNEDA Teilenummer MRFG35003N6T1
Beschreibung FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $146,9553
50 ---------- $140,0667
100 ---------- $133,1782
200 ---------- $126,2897
400 ---------- $120,5492
500 ---------- $114,8088
Auf Lager 975
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFG35003N6T1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFG35003N6T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFG35003N6T1, MRFG35003N6T1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 159,87 KB)
PDFMRFG35003N6T1 Datenblatt Cover
MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 2 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 3 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 4 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 5 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 6 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 7 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 8 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 9 MRFG35003N6T1 Datenblatt Seite 10

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MRFG35003N6T1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortyppHEMT FET
Frequenz3.55GHz
Gewinn9dB
Spannungstest6V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest180mA
Leistung - Leistung3W
Spannung - Nennspannung8V
Paket / FallPLD-1.5
LieferantengerätepaketPLD-1.5

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Leistung - Leistung

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Hersteller

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Gewinn

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

690mA

Leistung - Leistung

17W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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SOT502B

Hersteller

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Gewinn

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Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

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Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

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Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

19W

Spannung - Nennspannung

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