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MRFG35003M6T1

MRFG35003M6T1

Nur als Referenz

Teilenummer MRFG35003M6T1
PNEDA Teilenummer MRFG35003M6T1
Beschreibung FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
Hersteller NXP
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MRFG35003M6T1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFG35003M6T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFG35003M6T1, MRFG35003M6T1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 175,18 KB)
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MRFG35003M6T1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortyppHEMT FET
Frequenz3.55GHz
Gewinn9dB
Spannungstest6V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest180mA
Leistung - Leistung3W
Spannung - Nennspannung8V
Paket / FallPLD-1.5
LieferantengerätepaketPLD-1.5

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

690mA

Leistung - Leistung

17W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT896B

Lieferantengerätepaket

SOT896B, DFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz ~ 2.025GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

229W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-1230-4L2L

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L2L

PTFA211801EV5XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

140W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36260-2

J210_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

26.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

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