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MRF8S9100HSR3

MRF8S9100HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S9100HSR3
PNEDA Teilenummer MRF8S9100HSR3
Beschreibung FET RF 70V 920MHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S9100HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S9100HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S9100HSR3, MRF8S9100HSR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 534,92 KB)
PDFMRF8S9100HSR5 Datenblatt Cover
MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 2 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 3 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 4 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 5 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 6 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 7 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 8 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 9 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 10 MRF8S9100HSR5 Datenblatt Seite 11

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MRF8S9100HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz920MHz
Gewinn19.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung72W
Spannung - Nennspannung70V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

230mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780-4S4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4S4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

VRF152

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

50µA

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

M174

Lieferantengerätepaket

M174

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-3

Lieferantengerätepaket

SOT1275-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

Kürzlich verkauft

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

SD05.TCT

SD05.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 14.5V SOD323

XC95288XL-10TQ144C

XC95288XL-10TQ144C

Xilinx

IC CPLD 288MC 10NS 144TQFP

BAS16

BAS16

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 19A DPAK

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

MAX3237EAI+T

MAX3237EAI+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 5/3 28SSOP

T9AS1D12-15

T9AS1D12-15

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

BLM31PG391SN1L

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Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN

NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G

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DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB