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MRF8S26120HR3

MRF8S26120HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S26120HR3
PNEDA Teilenummer MRF8S26120HR3
Beschreibung FET RF 65V 2.69GHZ NI780
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S26120HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S26120HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S26120HR3, MRF8S26120HR3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 554,03 KB)
PDFMRF8S26120HSR3 Datenblatt Cover
MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 2 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 3 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 4 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 5 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 6 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 7 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 8 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 9 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 10 MRF8S26120HSR3 Datenblatt Seite 11

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MRF8S26120HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.69GHz
Gewinn15.6dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

25.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-360

Lieferantengerätepaket

NI-360

ATF-33143-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

305mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

22dBm

Spannung - Nennspannung

5.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

BLF8G20LS-160VU

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

35.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1239B

Lieferantengerätepaket

CDFM6

RFM03U3CT(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

14.8dB

Spannungstest

3.6V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

16V

Paket / Fall

2-SMD, No Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

RF-CST3

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