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MRF8S21120HR3

MRF8S21120HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21120HR3
PNEDA Teilenummer MRF8S21120HR3
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S21120HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21120HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S21120HR3, MRF8S21120HR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 555,96 KB)
PDFMRF8S21120HSR3 Datenblatt Cover
MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 2 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 3 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 4 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 5 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 6 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 7 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 8 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 9 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 10 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 11

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MRF8S21120HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn17.6dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest850mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

PD85025TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.25A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

15.3dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

810mA

Leistung - Leistung

580W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

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