MRF8P20161HSR3
Nur als Referenz
| Teilenummer | MRF8P20161HSR3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MRF8P20161HSR3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780S | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2.367 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MRF8P20161HSR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF8P20161HSR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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MRF8P20161HSR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual) |
| Frequenz | 1.92GHz |
| Gewinn | 16.4dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 550mA |
| Leistung - Leistung | 37W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | NI-780S-4 |
| Lieferantengerätepaket | NI-780S-4 |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.03GHz ~ 1.09GHz Gewinn 20dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 49A Rauschzahl - Stromtest 100mA Leistung - Leistung 200W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502A Lieferantengerätepaket LDMOST |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp 2 N-Channel (Dual) Common Source Frequenz 175MHz Gewinn 16dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) 36A Rauschzahl - Stromtest 500mA Leistung - Leistung 300W Spannung - Nennspannung 170V Paket / Fall 4-SMD Lieferantengerätepaket M208 |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.3GHz ~ 2.4GHz Gewinn 18dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 28A Rauschzahl - Stromtest 900mA Leistung - Leistung 20W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502B Lieferantengerätepaket SOT502B |
