MRF8P20100HR3
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| Teilenummer | MRF8P20100HR3 |
| PNEDA Teilenummer | MRF8P20100HR3 |
| Beschreibung | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MRF8P20100HR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF8P20100HR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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MRF8P20100HR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual) |
| Frequenz | 2.03GHz |
| Gewinn | 16dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 400mA |
| Leistung - Leistung | 20W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | NI780-4 |
| Lieferantengerätepaket | NI-780-4 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.12GHz Gewinn 14.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 500mA Leistung - Leistung 10W Spannung - Nennspannung 68V Paket / Fall TO-270AB Lieferantengerätepaket TO-270 WB-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.16GHz Gewinn 16dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 450mA Leistung - Leistung 11.5W Spannung - Nennspannung 68V Paket / Fall NI-400 Lieferantengerätepaket NI-400 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.93GHz ~ 1.99GHz Gewinn 19dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 18A Rauschzahl - Stromtest 550mA Leistung - Leistung 29.5W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502B Lieferantengerätepaket SOT502B |
