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MRF7S19210HSR5

MRF7S19210HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S19210HSR5
PNEDA Teilenummer MRF7S19210HSR5
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF7S19210HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S19210HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S19210HSR5, MRF7S19210HSR5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 818,57 KB)
PDFMRF7S19210HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S19210HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung63W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Nennstrom (Ampere)

14A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Frequenz

860MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-540A

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LDMOST

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Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

440MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2mA

Leistung - Leistung

210W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

4-HSOPF, SOT-1138

Lieferantengerätepaket

4-HSOP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

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