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MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V10010NR4
PNEDA Teilenummer MRF6V10010NR4
Beschreibung FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.794
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MRF6V10010NR4 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V10010NR4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V10010NR4, MRF6V10010NR4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 678,42 KB)
PDFMRF6V10010NR4 Datenblatt Cover
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MRF6V10010NR4 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.09GHz
Gewinn25dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest10mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallPLD-1.5
LieferantengerätepaketPLD-1.5

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

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Gewinn

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2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

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-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

200MHz

Gewinn

-

Spannungstest

8V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.92GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

960MHz ~ 1.22GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

112V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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