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MRF6S21060MR1

MRF6S21060MR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S21060MR1
PNEDA Teilenummer MRF6S21060MR1
Beschreibung FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.592
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S21060MR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S21060MR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S21060MR1, MRF6S21060MR1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.438,41 KB)
PDFMRF6S21060NR1 Datenblatt Cover
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MRF6S21060MR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.12GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest610mA
Leistung - Leistung14W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270-4
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

54W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

960MHz

Gewinn

19.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.4A

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

65A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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