MRF6S19200HR3
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| Teilenummer | MRF6S19200HR3 |
| PNEDA Teilenummer | MRF6S19200HR3 |
| Beschreibung | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.610 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MRF6S19200HR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF6S19200HR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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MRF6S19200HR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Gewinn | 17.9dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1.6A |
| Leistung - Leistung | 56W |
| Spannung - Nennspannung | 66V |
| Paket / Fall | SOT-957A |
| Lieferantengerätepaket | NI-780H-2L |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 716MHz ~ 960MHz Gewinn 17.8dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 1.2A Leistung - Leistung 400W Spannung - Nennspannung 70V Paket / Fall OM-1230-4L2S Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2S |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 3.1GHz ~ 3.5GHz Gewinn 11dB Spannungstest 32V Nennstrom (Ampere) 7.2A Rauschzahl - Stromtest 100mA Leistung - Leistung 120W Spannung - Nennspannung 60V Paket / Fall SOT-502A Lieferantengerätepaket LDMOST |
