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MRF6S19100HSR5

MRF6S19100HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S19100HSR5
PNEDA Teilenummer MRF6S19100HSR5
Beschreibung FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.482
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MRF6S19100HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S19100HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S19100HSR5, MRF6S19100HSR5 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 446,73 KB)
PDFMRF6S19100HSR5 Datenblatt Cover
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MRF6S19100HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn16.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung22W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Hersteller

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

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-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

28V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

15.2dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

23.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

700W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

LDMOST

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

718.5MHz ~ 765.5MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

56W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1221-2

Lieferantengerätepaket

6-HSOPF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

218W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-880X-2L2L

Lieferantengerätepaket

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