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MRF6P21190HR5

MRF6P21190HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6P21190HR5
PNEDA Teilenummer MRF6P21190HR5
Beschreibung FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.272
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MRF6P21190HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6P21190HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6P21190HR5, MRF6P21190HR5 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 746,94 KB)
PDFMRF6P21190HR6 Datenblatt Cover
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MRF6P21190HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.12GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.9A
Leistung - Leistung44W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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-

Transistortyp

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Stromtest

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Leistung - Leistung

-

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30V

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.88GHz ~ 1.91GHz

Gewinn

17.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

24W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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OM780-4

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Cree/Wolfspeed

Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

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Gewinn

13.3dB

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50V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

170W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440193

Lieferantengerätepaket

440193

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

225MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.6A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

104V

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