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MRF5S21150HR5

MRF5S21150HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S21150HR5
PNEDA Teilenummer MRF5S21150HR5
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S21150HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S21150HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S21150HR5, MRF5S21150HR5 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 387,19 KB)
PDFMRF5S21150HSR5 Datenblatt Cover
MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 2 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 3 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 4 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 5 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 6 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 7 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 8 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 9 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 10 MRF5S21150HSR5 Datenblatt Seite 11

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MRF5S21150HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn12.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung33W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

112V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

BLL1214-250,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

75V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230-4H

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10.8dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

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