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MRF5P21180HR6

MRF5P21180HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5P21180HR6
PNEDA Teilenummer MRF5P21180HR6
Beschreibung FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.686
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MRF5P21180HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5P21180HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5P21180HR6, MRF5P21180HR6 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 444,85 KB)
PDFMRF5P21180HR6 Datenblatt Cover
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MRF5P21180HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.16GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung38W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

27W

Spannung - Nennspannung

66V

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TO-272BB

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NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

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-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

PXFC191507FC-V1-R250

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

65V

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SOT1258-4

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