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MRF282ZR1

MRF282ZR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF282ZR1
PNEDA Teilenummer MRF282ZR1
Beschreibung FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF282ZR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF282ZR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF282ZR1, MRF282ZR1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 552,05 KB)
PDFMRF282SR1 Datenblatt Cover
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MRF282ZR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2GHz
Gewinn11.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest75mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-200Z
LieferantengerätepaketNI-200Z

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

MRF9210R5

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

BLF3G22-30,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-608A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

MWT-A973

Microwave Technology Inc.

Hersteller

Microwave Technology Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

500MHz ~ 18GHz

Gewinn

6.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

1.8dB

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

Nonstandard SMD

Lieferantengerätepaket

73

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