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MRF281SR1

MRF281SR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF281SR1
PNEDA Teilenummer MRF281SR1
Beschreibung FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF281SR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF281SR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF281SR1, MRF281SR1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 415,95 KB)
PDFMRF281ZR1 Datenblatt Cover
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MRF281SR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz
Gewinn12.5dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest25mA
Leistung - Leistung4W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-200S
LieferantengerätepaketNI-200S

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Hersteller

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Transistortyp

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Gewinn

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Rauschzahl

0.5dB

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Leistung - Leistung

-

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

32.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.08A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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LDMOST

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

4GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

97mA

Rauschzahl

0.45dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

11dBm

Spannung - Nennspannung

4V

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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