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MRF21030LR3

MRF21030LR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF21030LR3
PNEDA Teilenummer MRF21030LR3
Beschreibung FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF21030LR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF21030LR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF21030LR3, MRF21030LR3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 743,09 KB)
PDFMRF21030LR3 Datenblatt Cover
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MRF21030LR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.14GHz
Gewinn13dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest250mA
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-400
LieferantengerätepaketNI-400

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 500MHz

Gewinn

23.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

20µA

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1500W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

ATF-35143-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

80mA

Rauschzahl

0.4dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

10dBm

Spannung - Nennspannung

5.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

330W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

PTFA041501F-V4-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

420MHz ~ 500MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

PTFA091201FV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

110W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

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FQD3P50TM

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MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

OV00426-B64G

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CB3LV-3I-30M0000

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