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MPSH11_D27Z

MPSH11_D27Z

Nur als Referenz

Teilenummer MPSH11_D27Z
PNEDA Teilenummer MPSH11_D27Z
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MPSH11_D27Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPSH11_D27Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MPSH11_D27Z, MPSH11_D27Z Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 240,77 KB)
PDFMPSH11_D27Z Datenblatt Cover
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MPSH11_D27Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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55AU

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

MS652S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

450MHz ~ 512MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M123

Lieferantengerätepaket

M123

MS2211

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

48V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.3dB

Leistung - max

25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900mA

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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