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MPS751ZL1

MPS751ZL1

Nur als Referenz

Teilenummer MPS751ZL1
PNEDA Teilenummer MPS751ZL1
Beschreibung TRANS PNP 60V 2A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.626
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MPS751ZL1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPS751ZL1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MPS751ZL1, MPS751ZL1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 78,99 KB)
PDFMPS751ZL1 Datenblatt Cover
MPS751ZL1 Datenblatt Seite 2 MPS751ZL1 Datenblatt Seite 3 MPS751ZL1 Datenblatt Seite 4 MPS751ZL1 Datenblatt Seite 5 MPS751ZL1 Datenblatt Seite 6 MPS751ZL1 Datenblatt Seite 7 MPS751ZL1 Datenblatt Seite 8

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MPS751ZL1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 1A, 2V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang75MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66

JAN2N3637L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/357

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

175V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

FMBS549

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

Leistung - max

700mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

2SB815-6-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

80mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 50mA, 2V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

FCX458TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 6mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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