MPS5179G
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| Teilenummer | MPS5179G |
| PNEDA Teilenummer | MPS5179G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.222 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MPS5179G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MPS5179G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MPS5179G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn 23dB Leistung - max 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10.5dB ~ 16dB Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 2.8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
