MOCD211R1M
Nur als Referenz
| Teilenummer | MOCD211R1M | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MOCD211R1M | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 307 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MOCD211R1M Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MOCD211R1M |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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MOCD211R1M Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 20% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 7.5µs, 5.7µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 3.2µs, 4.7µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.25V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 25% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 50µs, 150µs (Max) Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.23V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 100mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 6-SMD |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 10% @ 16mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 200ns, 1µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 15V Strom - Ausgang / Kanal 8mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.65V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 25mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 150% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -55°C ~ 105°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
