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MMRF1306HR5

MMRF1306HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1306HR5
PNEDA Teilenummer MMRF1306HR5
Beschreibung FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.446
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF1306HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1306HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1306HR5, MMRF1306HR5 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 475,66 KB)
PDFMMRF1306HSR5 Datenblatt Cover
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MMRF1306HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz230MHz
Gewinn24dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung1250W
Spannung - Nennspannung133V
Paket / FallSOT-979A
LieferantengerätepaketNI-1230-4H

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

3.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

765MHz

Gewinn

18.7dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

13.1dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

330W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

OM-780-2

CGH40010F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 6GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

3.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

12.5W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440166

Lieferantengerätepaket

440166

BLF6G27-45,135

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

7W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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