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MMRF1004GNR1

MMRF1004GNR1

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1004GNR1
PNEDA Teilenummer MMRF1004GNR1
Beschreibung FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MMRF1004GNR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1004GNR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1004GNR1, MMRF1004GNR1 Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 959,68 KB)
PDFMMRF1004GNR1 Datenblatt Cover
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MMRF1004GNR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest130mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270BA
LieferantengerätepaketTO-270-2 GULL

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

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BLF8G22LS-240J

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PN4416

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10.8dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

MWT-773

Microwave Technology Inc.

Hersteller

Microwave Technology Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

500MHz ~ 26GHz

Gewinn

8dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

98mA

Rauschzahl

12dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

20dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

Nonstandard SMD

Lieferantengerätepaket

73

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