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MMBZ5228B-G3-08

MMBZ5228B-G3-08

Nur als Referenz

Teilenummer MMBZ5228B-G3-08
PNEDA Teilenummer MMBZ5228B-G3-08
Beschreibung DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBZ5228B-G3-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBZ5228B-G3-08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterZenerdioden - Single
Datenblatt
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MMBZ5228B-G3-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Spannung - Zener (Nom) (Vz)3.9V
Toleranz±5%
Leistung - max225mW
Impedanz (Max) (Zzt)23 Ohms
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Impedanz (Max) (Zzt)

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Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

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Toleranz

±5%

Leistung - max

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Impedanz (Max) (Zzt)

15 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 39V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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Betriebstemperatur

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Toleranz

±2%

Leistung - max

1.5W

Impedanz (Max) (Zzt)

19 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 18.2V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Spannung - Zener (Nom) (Vz)

160V

Toleranz

±5%

Leistung - max

2W

Impedanz (Max) (Zzt)

650 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 121.6V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

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Spannung - Zener (Nom) (Vz)

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Toleranz

±5%

Leistung - max

500mW

Impedanz (Max) (Zzt)

10 Ohms

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 7V

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

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