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MMBD4448HTA-7

MMBD4448HTA-7

Nur als Referenz

Teilenummer MMBD4448HTA-7
PNEDA Teilenummer MMBD4448HTA-7
Beschreibung DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT523
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBD4448HTA-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBD4448HTA-7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MMBD4448HTA-7, MMBD4448HTA-7 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 82,54 KB)
PDFMMBD4448HTA-7 Datenblatt Cover
MMBD4448HTA-7 Datenblatt Seite 2 MMBD4448HTA-7 Datenblatt Seite 3 MMBD4448HTA-7 Datenblatt Seite 4

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MMBD4448HTA-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 70V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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TO-249AA

BYW51-200G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

320A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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