MJE15029G
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| Teilenummer | MJE15029G |
| PNEDA Teilenummer | MJE15029G |
| Beschreibung | TRANS PNP 120V 8A TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.666 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MJE15029G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJE15029G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJE15029G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 120V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 2V |
| Leistung - max | 50W |
| Frequenz - Übergang | 30MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V Leistung - max 65W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
