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MJ2501

MJ2501

Nur als Referenz

Teilenummer MJ2501
PNEDA Teilenummer MJ2501
Beschreibung TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3
Hersteller STMicroelectronics
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MJ2501 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJ2501
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJ2501, MJ2501 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 59,39 KB)
PDFMJ3001 Datenblatt Cover
MJ3001 Datenblatt Seite 2 MJ3001 Datenblatt Seite 3 MJ3001 Datenblatt Seite 4

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MJ2501 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypPNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic4V @ 50mA, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 3V
Leistung - max150W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

JANTXV2N3499L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/366

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

FMMTA64TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

125MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

TSC5988CT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2A, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

MMBT2222A-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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